传感器及其典型应用-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机折弯机提出了一种优化LED电极结构的新思路,通过改变GaN基水平结构LED的p-n电极间距,研究了LED在正常驱动电流和高电流驱动(over drive)时的电流扩展能力和出光效率的变化幅度,找到了特定尺寸芯片的最佳p-n电极间距。通过近场,分析了该电极间距下电流扩展状况;最后,将该电极间距的芯片封装成白光光源,进而研究了光源的光效提升效果品竞争力。多年来，对改进LED电极形状方面的研究较多，目前形成的主流设计共识是：使用n电极环绕p电极的方法，这样能够让电流在尽可能大的面积上由p电极进入n电极，本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com增加有效发光长度;n与p电极之间的距离应相等，使电流分布尽可能均匀;n电极要分布在外侧。本文基于此设计共识，通过优化GaN基水平结构LED电极间距，提高出光效率。1实验将4英寸GaN基外延片分为四个区域，设计和布局四处30mi（l面积4.4cm2）正方形指状电极（finger）电极间距的优化-电动折弯机数控钢管滚圆机滚弧机全自动张家港滚圆机滚弧机，电极间距为81.4μm、96.3μm、110.5μm和135.8μm，分别记为1#、2#、3#和4#，如图1所示。经相同工艺制备成水平结构LED后，通过全点测电压（VF）、亮度（LOP）和主波长（WLD）等光电性数据，各区挑选WLD为456.0-457.0n（m点测电流I=350mA）芯片20颗作为实验样品，进行出光效率（Efficiency）、封装比对和近场分析实验。2结果与分析2.1出光效率分析提高了LED的电光转换效率就在一定程度上提高了LED的出光效率，对于LED的节能优势有着重要的影响。因此，先分别在110mA、145mA、180mA、240mA、300mA和350mA下测试1#-4#样品的VF、LOP，再计算对应的出光效率（Efficiency=LOP/I/VF），得到如图2所示的电流密度与出光效率关系曲线。图1四种p-n电极间距的LED图形设计和布局示意图图2电流密度与出光效率关系曲线从图2可知，出光效率随着电流密度的增大而降低，此即LED的Droop效应；在较高电流密度时，p-n电极间距越小，出光效率越高，其由高到低依次为：1#＞2#＞3#＞4#，而这种30mil较大尺寸的LED芯片通常在较高的电流密度下工作，故相GaN基水平结构LEDp-n电极间距的优化马介渊，殷榆婷，李璐君（西安联创生物医药孵化器有限公司，陕西西安，710077）摘要：本文提出了一种优化LED电极结构的新思路，通电极间距的优化-电动折弯机数控钢管滚圆机滚弧机全自动张家港滚圆机滚弧机本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com