等效导纳值是波导宽边纵缝天线的关键设计参数。为克服传统波导裂缝天线副瓣偏高、设计效率低下等问题,本文提出了一种单脊波导裂缝天线的改进设计方法,在传统波导裂缝阵列天线设计的基础上,利用等效导纳值对天线等效电路的影响,在裂缝单元下增加金属膜片,通过改变金属膜片的高度,优化裂缝等效导纳值,使得每个裂缝口径场分布更加接近于理论设计值,并在设计过程中使用牛顿迭代法提取导纳进一步缩短设计时间。通过设计实例表明:应用此方法设计单脊波导裂缝天线能够有效抑制副瓣电平,天线方位面副瓣电平可达到-30 dB以下;在满足主要指标要求的前提下,设计效率显著提升。波导窄边尺寸降低以后裂缝上的场分布最大值偏离缝隙中心，将加大工作频点上电导最大值点与电纳零值点的偏差［4］。本文提出在每个裂缝单元下面波导脊上增加金属膜片的设计方法，能够起到调节电纳值的作用，修正在同一工作频点上电导最大值点与电纳零值点的偏差裂缝天线的研究-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港电动液压滚圆机滚弧机折弯机，使得裂缝长度处于谐振状态，每个裂缝的实际口径场幅相分布更加接近于理论值，将有效地抑制副瓣电平。1理论分析根据切割波导电流方式的不同，本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com波导裂缝天线有宽边纵缝、宽边倾斜缝和窄边倾斜缝等几种形式。对于宽边纵缝可等效为并联导纳电路，如图1所示，包括实部和虚部，即导纳为Yn=Gn+jBn(1)其中，Gn为第n个裂缝电导，Bn为第n个裂缝电纳。裂缝距波导中心位置偏移量(下文简称偏置量)影响导纳的实部，而裂缝的长度影响导纳的虚部。实部控制了裂缝与波导间的耦合，从而控制了裂缝辐射功率的大小;虚部对辐射功率的相位有很大影响。所以为了实现低副瓣高增益等天线特性，设计宽边纵缝的关键在于找出不同偏置下裂缝的谐振长度，使导纳分布满足在天线工作频点上实部最大，虚部为零，即Gn取最大值，Bn=0，此时裂缝处于谐振状态。(a)天线示意图(b)等效电路图图1宽边纵缝天线及其等效电路图通过在一定偏置量下改变谐振长度可以找到天线工作频点上Gn最大值，导纳Yn可进一步等效为:Yn=Gn+jBn=1Ｒn+(－j1Xn)(2)其中，Ｒn为第n个裂缝等效负载电阻，Xn为第n个裂缝等效电抗，Xn可等效为:Xn=jωLn‖－jωCn=jωLn(1－ω2LnCn)(3)式中，Ln为电感，Cn为电容，ω为角频率，当ωLn=1/ωCn时，Xn趋于无穷大，根据(2)式Bn=0。对裂缝天线的研究-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港电动液压滚圆机滚弧机折弯机本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com