介绍了一种平面肖特基二极管的等效电路模型。这种模型分为本征和寄生两个部分。这两部分分别表征肖特基结特性和物理结构带来的高频寄生效应。同时介绍了一种肖特基二极管零偏结电容Cj0的提取方法。其得到的Cj0与测试值比较体现了高度的一致性。这一方法可广泛应用于TMIC电路的设计当中赫兹变频电路半导体器件的首眩如何对自主设计制作的肖特基二极管，进行准确提参以表征其电学特性，是TMIC电路设计面临的重点问题。同时随着工作频率进入太赫兹频段，半导体器件物理结构的寄生效应将不能忽略，如何在仿真中准确表征其高频特性也是要关注的问题。在本文中，将对二极管参数提取和模型建立等问题进行讨论。1等效模型建立肖特基二极管可分为两个部分：本征部分和寄生部分。本征部分表征肖特基接触产生的电流非线性特性，寄生部分表征其物理结构在高频下对电磁传输带来的影响。图1肖特基二极管截面图图1为平面空气桥结构的肖特基二极管的截面图，肖特基金属和欧姆金属分别与轻掺层与重掺层形成肖特基接触和欧姆接触。肖特基接触可表征为非线性结电阻Rj与非线性结电容Cj的并联。肖特基二极管的损耗主要由轻掺层结电阻（Repi）本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com等效电路模型研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港电动滚圆机滚弧机折弯机，重掺层扩散电阻（Rspreading）和欧姆电阻（Rcontact）三部分组成，其余损耗可忽略不计。高频寄生效应可以用下面集总参数元件来等效。Cpp1与Cpp2表征了阴阳两级台面间的寄生电容。Cfp表征了空气桥结构金属指和台面之间的电磁耦合。Lf和Rfinger分别表征金属指产生的寄生电感和损耗。而阴阳两级的寄生效应可由Cp和Lp组成的*收稿日期：电路图6pin-short结构3Cj0提取和修正上文中的结构可对所有寄生参量进行定义。之后便可通过小信号模型对肖特基结电容Cj0进行提龋将二极管测试得到的小信号S参数，与等效电路仿真得到的S参数进行拟合，图8所示。实物Cj0的值。本文对肖特基结直径为2μm、3μm、4μm和5μm的肖特基二极管进行了测试，通过上述方法得到的Cj0的值分别为9.31fF、13.57fF、4.28fF和39.26fF。(a)S11(b)S21图7S参数拟合结果结电容和肖特基二极管两端电压的关系可以由下式表示：(2)Cj表示不同偏压下的结电容值，测试中外加电压值从0V变化到0.6V。由式（2）可算出不同偏压下的结电容值，与测试值比对发现出现了一些偏差，如图8（a）所示。存在一个与Cj0并联的Cpin，它与肖特基结大小有关，不随外加偏压而变化。修正过后的Cj0值分别为6.73fF、9.09fF、15.71fF和24.66fF，Cpin的值分别修正过的C-V曲线和实测曲线可较好吻合，如图8（b）所示。(a)不同偏压下结电容测试与仿真值对比32等效电路模型研究-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港电动滚圆机滚弧机折弯机本文由公司网站滚圆机网站 转载中国知网整理! http://www.gunyuanjixie.com